三星的3纳米芯片将提供更高的性能和自主性

三星继续在芯片开发方面取得进步，这些芯片可显着改善其移动终端的性能，能源优化和自主性。就这些而言，它刚刚宣布其工程师正在开发一种新的三纳米芯片，该芯片是基于“全面”技术构建的，该技术将替代当前的FinFET压接系统。借助内置于三纳米的新芯片，我们将见证一场真正的发展，它将适应人工智能和自动驾驶的新技术。

3纳米芯片消耗的电量是当前电池的一半

如果将3纳米的芯片与目前已知的7纳米的芯片进行比较，它将使芯片尺寸减少多达45％，功耗降低50％，效率提高35％。三星获得专利的新技术“全方位”技术使用垂直纳米片结构（二维纳米结构，厚度范围为1至10纳米），与当前的FinFET工艺相比，每个电池可提供更大的电流。

去年四月，三星已经与客户分享了该款新芯片的首个开发套件，从而缩短了产品上市时间并提高了设计竞争力。现在，三星工程师深深地致力于提高性能和能效。如果我们不能放完最后几个星期的电池，我们将不得不改进处理器。

除了内置三纳米的新芯片外，三星还计划在今年下半年开始批量生产内置六纳米的设备处理器。有望在今年年底出现可组装五纳米的FinFET工艺，并有望在明年上半年实现量产。此外，该公司还准备在今年晚些时候开发四纳米处理器。期待已久的三纳米芯片会出现在什么时候？现在说还为时过早。