三星Galaxy S8周围的泄漏仍在继续。这次，三星Galaxy S8 +的Geekbench测试中的功率数据已出现在网络上。根据泄漏的数据，应该在装有Qualcomm Snapdragon 835处理器，4 GB RAM和Android 7.0的设备上进行性能测试。结果是惊人的。
几分钟前，泄漏网站Slashleaks发布了理论上对三星Galaxy S8 +进行的性能测试的图像。具体来说，这是众所周知的Geekbench测试，用于测试手机处理器和内存的性能。
测试为我们提供了一些终端数据。它是带有Snapdragon 835处理器和4 GB RAM的单元。尽管测试没有反映出来，但我们可以告诉您该处理器由运行在2.45 GHz的四个内核和运行在1.9 GHz的另外四个内核组成，我们还可以从数据中看到终端运行的是Android 7.0。
老实说，结果使我们感到惊讶。所谓的三星Galaxy S8 +在“多核”测试中获得了6,084分。该结果将低于三星银河S7在同一测试中获得6347点的结果。在“单核”测试中也将更低，其结果为1,929分，而其前身的得分为2,163分。但是，可以公平地说，讨论的S7单元装有Exynos 8890处理器。
Snapdragon 835是第一个以10纳米制造的处理器。根据高通的数据，他们设法使其比以前的产品薄了30％，效率提高了40％。
但是，我们决不能忘记此数据已被过滤并且可能不是真实的。甚至可能是对未完成的设备进行的测试。
