在CES 2015技术活动演示一周之后，我们再次不得不回到与美国公司Apple有关的谣言之路。这次的主角是iPhone 6S。根据台湾的不同消息来源，新款iPhone 6S可以集成一个2G容量的RAM内存。在此外，该存储器类型将成为 LPDDR4，这将导致更快的数据管理，同时保持相同的电池消耗。
LPDDR4类型的RAM存储器与某些消息人士指出，新的iPhone 6将采用的RAM存储器完全相同。最后，这些存储器的生产成本比LPDDR3存储器高出35％，这是Apple不将其存储在当前智能手机中的主要原因。
但是，正如亚洲网站 台湾科技新闻 所指出的那样 ，这些问题已经可以通过新的iPhone 6S解决方案来解决，它可以合并具有2 GB容量的LPDDR4类型的改良RAM存储器。相比掺入当前处理器 iPhone 6从苹果，这种改进的新的iPhone 6S将导致更快的数据传输（允许抽头两倍的带宽高达 34 Gbps的）与电池消耗减少。
必须牢记的是，今天， iPhone 6和iPhone 6 Plus集成了具有1 GigaByte容量和LPDDR3技术的RAM内存，因此，如果此信息是正确的，我们将谈论的重要一步。表现。尽管同时有必要看看苹果如何利用这种性能改进，并考虑到 ITProPortal 指出的那样，iOS操作系统的许多应用程序仅使用了RAM的三分之一/四分之一。当前的iPhone。
关于来自苹果的竞争，市场上的大多数旗舰产品都配备了LPDDR3型内存RAM。在三星Galaxy注4与3千兆字节的RAM或三星galaxys5与2千兆字节的RAM一体化LPDDR3技术，而其他移动如索尼的Xperia Z3（3千兆字节）或诺基亚lumia930（2千兆字节）也并入存储器。相同类型的RAM。
iPhone 6S的其他技术规格目前完全是个谜。新款iPhone 6S的发布可能比预期的要早得多，甚至一些消息人士也敢于确保Apple会在推出Apple Watch智能手表的同时推出新的智能手机。这样，iPhone 6S的展示就可以在2015年下半年之前进行。
